Samsung ra mắt Galaxy S23 FE, Galaxy Tab S9 FE và Galaxy Buds FE với giá cả phải chăng

Samsung đã chính thức ra mắt Galaxy S23 FE, Galaxy Tab S9 FE và Galaxy Buds FE, ba sản phẩm phiên bản Fan Edition đầu tiên được công ty ra mắt đồng thời. Điều này cho thấy Samsung đang rất quan tâm đến dòng sản phẩm này, và tương lai của dòng sản phẩm này cũng rất hứa hẹn.

Samsung Galaxy S10e: Trên tay độc quyền phiên bản màu vàng Canary

Samsung đã kết thúc sự kiện ra mắt Galaxy S10e, Galaxy S10 và Galaxy S10 Plus, và cả ba mẫu điện thoại này dự kiến sẽ được phát hành rất sớm. Mặc dù một số nhà phê bình có thể ngay lập tức coi Galaxy S10e là một thiết bị "giá rẻ", nhưng nó thực sự cao cấp hơn nhiều so với những gì bạn đang được dẫn dắt. Dưới đây là bài trên tay độc quyền của chúng tôi về Galaxy S10e màu vàng Canary và hãy cùng chúng tôi xem lý do tại sao Samsung quyết định ra mắt nó cho đại chúng.

Microsoft nói rằng chip AI của NVIDIA vẫn là lựa chọn tốt nhất, nhưng AMD cũng có những lựa chọn hấp dẫn và nguồn cung tổng thể đang tốt hơn

Microsoft cho biết chip AI của NVIDIA vẫn là lựa chọn tốt nhất, nhưng AMD cũng có những lựa chọn hấp dẫn và nguồn cung tổng thể đang tốt hơn.

Microsoft cho biết việc mua GPU tính toán của Nvidia hiện dễ dàng hơn

Kevin Scott, giám đốc công nghệ của Microsoft, gần đây đã phát biểu tại Hội nghị Code ở Dana Point, California, rằng việc mua sắm GPU tính toán của Nvidia cho các ứng dụng trí tuệ nhân tạo và điện toán hiệu suất cao hiện ít thử thách hơn so với một vài tháng trước. "Cầu vượt xa nguồn cung GPU mà toàn bộ hệ sinh thái có thể sản xuất", Scott nói trong một cuộc phỏng vấn với The Verge. "Điều đó đang được giải quyết. Nó vẫn còn eo hẹp, nhưng nó đang tốt hơn mỗi tuần, và chúng tôi có nhiều tin tốt hơn là tin xấu về mặt đó, điều này thật tuyệt vời. […] Giờ đây, nó dễ dàng hơn so với lần cuối chúng tôi nói chuyện."

Intel và TSMC sắp công bố tiến trình phát triển transistor CFET tại IEDM 2023

Intel và TSMC dự kiến sẽ công bố tiến trình phát triển transistor CFET (vertically-stacked complementary field effect transistors) tại hội nghị International Electron Devices Meeting (IEDM) 2023 sắp tới, theo báo cáo của eeNewsEurope. CFET được thiết lập để kế thừa transistor GAA (gate-all-around), dự kiến sẽ ra mắt thị trường trong thập kỷ tới.

Intel đầu tư 1 tỷ USD vào công nghệ đóng gói kính

Intel hôm nay đã chính thức xác nhận rằng họ sẽ sử dụng vật liệu nền kính cho các giải pháp đóng gói tiên tiến trong nửa sau thập kỷ này. Intel kỳ vọng các đặc tính cơ học, vật lý và quang học vượt trội của vật liệu nền kính sẽ cho phép công ty xây dựng các hệ thống đa chiplet trong gói (SiP) hiệu suất cao hơn, chủ yếu dành cho các trung tâm dữ liệu. Cụ thể, Intel kỳ vọng vật liệu nền kính sẽ cho phép sản xuất các SiP có kích thước cực lớn 24 × 24 cm, chứa nhiều khối silicon.

AMD ra mắt bộ xử lý EPYC 8004 Siena cho các ứng dụng edge và viễn thông

AMD đã giới thiệu bộ xử lý EPYC 8004-series có tên mã là Siena. Các CPU mới có dạng SP6 hoàn toàn mới, đóng gói tối đa 64 lõi Zen 4c và có hệ thống bộ nhớ DDR5 sáu kênh. Bộ xử lý AMD EPYC 'Siena' được thiết kế cho các máy chủ edge và viễn thông dựa trên một bộ xử lý và yêu cầu I/O và hiệu suất năng lượng tiên tiến hơn hiệu suất thô.

Nghiên cứu mới từ Phần Lan có thể dẫn đến máy tính lượng tử bền vững và mạnh mẽ hơn

Nghiên cứu từ một nhóm nghiên cứu tại Trung tâm Nghiên cứu Kỹ thuật VTT của Phần Lan có thể mở đường cho các máy tính lượng tử bền vững và mạnh mẽ hơn. Nhóm nghiên cứu đã thiết kế một thiết bị giống như ống chân không cho phép làm mát theo cách hoàn toàn điện tử - một con đường có thể giúp giảm chi phí làm mát cho máy tính lượng tử làm lạnh bằng pha loãng xuống mười lần. Trong các thí nghiệm của họ, các nhà nghiên cứu phát hiện ra rằng thiết kế của họ cho phép giảm nhiệt độ tới 40%.

Nvidia TensorRT-LL tăng gấp đôi hiệu suất LLM trên GPU H100

Nvidia cho biết phần mềm mã nguồn mở TensorRT-LL mới của họ có thể tăng hiệu suất đáng kể của các mô hình ngôn ngữ lớn (LLM) trên GPU của họ. Theo công ty, khả năng của TensorRT-LL của Nvidia cho phép họ tăng hiệu suất của GPU H100 của họ lên hai lần trong LLM GPT-J với sáu tỷ tham số. Quan trọng là phần mềm có thể cho phép cải thiện hiệu suất này mà không cần đào tạo lại mô hình.

Công ty khởi nghiệp Đức Cerabyte tuyên bố công nghệ lưu trữ nanolayer ceramic sẽ phá vỡ thị trường 500 tỷ USD

Một công ty khởi nghiệp công nghệ đã đưa ra những tuyên bố gây sốc về công nghệ lưu trữ nanolayer ceramic mới của họ. Cerabyte khẳng định họ sẽ phá vỡ thị trường lưu trữ trị giá 500 tỷ USD bằng cách giảm tổng chi phí sở hữu (TCO) lưu trữ trung tâm dữ liệu xuống 75%. Cụ thể hơn, lộ trình của họ phác thảo ra các Cartridge CeraMemory (2025-30) lưu trữ từ 10 PB đến 100 PB, và CeraTape (2030-35) với dung lượng lên đến 1 EB mỗi băng. Theo công ty khởi nghiệp, các định dạng mới này sẽ giải quyết các vấn đề về mật độ, hiệu suất, khả năng truy cập cũng như nhu cầu về chi phí và tính bền vững của các trung tâm dữ liệu.

Samsung giới thiệu chip DDR5 SDRAM 32 Gb nguyên khối đầu tiên

Samsung vừa giới thiệu chip DDR5 SDRAM 32 Gb nguyên khối đầu tiên trong ngành. IC bộ nhớ này sẽ cho phép công ty đơn giản hóa đáng kể việc sản xuất các mô-đun bộ nhớ dung lượng cao và xây dựng RDIMM 1 TB chưa từng có cho máy chủ.

DRAM 3D: Giải pháp cho vấn đề quy mô DRAM

Nếu có một sản phẩm công nghệ mà việc thu nhỏ không hoạt động tốt, thì đó là DRAM. Có một số lý do cho điều này, quan trọng nhất là thiết kế thực tế của các tế bào DRAM và cách nó liên quan đến quá trình sản xuất. Nhưng theo Lam Research, kết quả cuối cùng của những khó khăn về quy mô này có nghĩa là các nhà nghiên cứu trong lĩnh vực DRAM có thể hết cách để tăng mật độ quy mô của DRAM sớm nhất là sau năm năm nữa.

Samsung cho biết sẽ sản xuất bộ nhớ NAND 300 lớp vào năm 2024

Samsung Electronics cho biết họ sẽ bắt đầu sản xuất bộ nhớ NAND 300 lớp vào năm 2024, theo một báo cáo của The Elec. Công nghệ này sẽ cho phép Samsung tăng mật độ lưu trữ lên 40% và giảm chi phí sản xuất xuống 20%.

Intel làm cho công nghệ 3nm dễ tiếp cận hơn với khách hàng của IFS

Intel đã công bố kế hoạch mở rộng công nghệ 3nm của mình cho các khách hàng của Intel Foundry Services (IFS). Điều này sẽ cho phép các công ty từ nhiều ngành khác nhau, bao gồm thiết bị di động, điện toán hiệu suất cao và ô tô, tiếp cận với công nghệ tiên tiến nhất của Intel.

Intel công bố tiến bộ về quy trình sản xuất 3nm class node đã đạt được mục tiêu về mật độ lỗi và hiệu suất

Intel, nhà sản xuất vi xử lý hàng đầu thế giới, đã công bố rằng họ đã đạt được tiến bộ quan trọng trong quy trình sản xuất 3nm class node. Theo thông tin từ Intel, công nghệ mới này đã đáp ứng được cả hai mục tiêu chính là tăng cường mật độ lỗi và hiệu suất.

Samsung ra mắt Galaxy S23 FE, Galaxy Tab S9 FE và Galaxy Buds FE với giá cả phải chăng

Samsung đã chính thức ra mắt Galaxy S23 FE, Galaxy Tab S9 FE và Galaxy Buds FE, ba sản phẩm phiên bản Fan Edition đầu tiên được công ty ra mắt đồng thời. Điều này cho thấy Samsung đang rất quan tâm đến dòng sản phẩm này, và tương lai của dòng sản phẩm này cũng rất hứa hẹn.

Samsung Galaxy S10e: Trên tay độc quyền phiên bản màu vàng Canary

Samsung đã kết thúc sự kiện ra mắt Galaxy S10e, Galaxy S10 và Galaxy S10 Plus, và cả ba mẫu điện thoại này dự kiến sẽ được phát hành rất sớm. Mặc dù một số nhà phê bình có thể ngay lập tức coi Galaxy S10e là một thiết bị "giá rẻ", nhưng nó thực sự cao cấp hơn nhiều so với những gì bạn đang được dẫn dắt. Dưới đây là bài trên tay độc quyền của chúng tôi về Galaxy S10e màu vàng Canary và hãy cùng chúng tôi xem lý do tại sao Samsung quyết định ra mắt nó cho đại chúng.

Microsoft nói rằng chip AI của NVIDIA vẫn là lựa chọn tốt nhất, nhưng AMD cũng có những lựa chọn hấp dẫn và nguồn cung tổng thể đang tốt hơn

Microsoft cho biết chip AI của NVIDIA vẫn là lựa chọn tốt nhất, nhưng AMD cũng có những lựa chọn hấp dẫn và nguồn cung tổng thể đang tốt hơn.

Microsoft cho biết việc mua GPU tính toán của Nvidia hiện dễ dàng hơn

Kevin Scott, giám đốc công nghệ của Microsoft, gần đây đã phát biểu tại Hội nghị Code ở Dana Point, California, rằng việc mua sắm GPU tính toán của Nvidia cho các ứng dụng trí tuệ nhân tạo và điện toán hiệu suất cao hiện ít thử thách hơn so với một vài tháng trước. "Cầu vượt xa nguồn cung GPU mà toàn bộ hệ sinh thái có thể sản xuất", Scott nói trong một cuộc phỏng vấn với The Verge. "Điều đó đang được giải quyết. Nó vẫn còn eo hẹp, nhưng nó đang tốt hơn mỗi tuần, và chúng tôi có nhiều tin tốt hơn là tin xấu về mặt đó, điều này thật tuyệt vời. […] Giờ đây, nó dễ dàng hơn so với lần cuối chúng tôi nói chuyện."

Intel và TSMC sắp công bố tiến trình phát triển transistor CFET tại IEDM 2023

Intel và TSMC dự kiến sẽ công bố tiến trình phát triển transistor CFET (vertically-stacked complementary field effect transistors) tại hội nghị International Electron Devices Meeting (IEDM) 2023 sắp tới, theo báo cáo của eeNewsEurope. CFET được thiết lập để kế thừa transistor GAA (gate-all-around), dự kiến sẽ ra mắt thị trường trong thập kỷ tới.

Intel đầu tư 1 tỷ USD vào công nghệ đóng gói kính

Intel hôm nay đã chính thức xác nhận rằng họ sẽ sử dụng vật liệu nền kính cho các giải pháp đóng gói tiên tiến trong nửa sau thập kỷ này. Intel kỳ vọng các đặc tính cơ học, vật lý và quang học vượt trội của vật liệu nền kính sẽ cho phép công ty xây dựng các hệ thống đa chiplet trong gói (SiP) hiệu suất cao hơn, chủ yếu dành cho các trung tâm dữ liệu. Cụ thể, Intel kỳ vọng vật liệu nền kính sẽ cho phép sản xuất các SiP có kích thước cực lớn 24 × 24 cm, chứa nhiều khối silicon.

AMD ra mắt bộ xử lý EPYC 8004 Siena cho các ứng dụng edge và viễn thông

AMD đã giới thiệu bộ xử lý EPYC 8004-series có tên mã là Siena. Các CPU mới có dạng SP6 hoàn toàn mới, đóng gói tối đa 64 lõi Zen 4c và có hệ thống bộ nhớ DDR5 sáu kênh. Bộ xử lý AMD EPYC 'Siena' được thiết kế cho các máy chủ edge và viễn thông dựa trên một bộ xử lý và yêu cầu I/O và hiệu suất năng lượng tiên tiến hơn hiệu suất thô.

Nghiên cứu mới từ Phần Lan có thể dẫn đến máy tính lượng tử bền vững và mạnh mẽ hơn

Nghiên cứu từ một nhóm nghiên cứu tại Trung tâm Nghiên cứu Kỹ thuật VTT của Phần Lan có thể mở đường cho các máy tính lượng tử bền vững và mạnh mẽ hơn. Nhóm nghiên cứu đã thiết kế một thiết bị giống như ống chân không cho phép làm mát theo cách hoàn toàn điện tử - một con đường có thể giúp giảm chi phí làm mát cho máy tính lượng tử làm lạnh bằng pha loãng xuống mười lần. Trong các thí nghiệm của họ, các nhà nghiên cứu phát hiện ra rằng thiết kế của họ cho phép giảm nhiệt độ tới 40%.

Nvidia TensorRT-LL tăng gấp đôi hiệu suất LLM trên GPU H100

Nvidia cho biết phần mềm mã nguồn mở TensorRT-LL mới của họ có thể tăng hiệu suất đáng kể của các mô hình ngôn ngữ lớn (LLM) trên GPU của họ. Theo công ty, khả năng của TensorRT-LL của Nvidia cho phép họ tăng hiệu suất của GPU H100 của họ lên hai lần trong LLM GPT-J với sáu tỷ tham số. Quan trọng là phần mềm có thể cho phép cải thiện hiệu suất này mà không cần đào tạo lại mô hình.

Công ty khởi nghiệp Đức Cerabyte tuyên bố công nghệ lưu trữ nanolayer ceramic sẽ phá vỡ thị trường 500 tỷ USD

Một công ty khởi nghiệp công nghệ đã đưa ra những tuyên bố gây sốc về công nghệ lưu trữ nanolayer ceramic mới của họ. Cerabyte khẳng định họ sẽ phá vỡ thị trường lưu trữ trị giá 500 tỷ USD bằng cách giảm tổng chi phí sở hữu (TCO) lưu trữ trung tâm dữ liệu xuống 75%. Cụ thể hơn, lộ trình của họ phác thảo ra các Cartridge CeraMemory (2025-30) lưu trữ từ 10 PB đến 100 PB, và CeraTape (2030-35) với dung lượng lên đến 1 EB mỗi băng. Theo công ty khởi nghiệp, các định dạng mới này sẽ giải quyết các vấn đề về mật độ, hiệu suất, khả năng truy cập cũng như nhu cầu về chi phí và tính bền vững của các trung tâm dữ liệu.

Samsung giới thiệu chip DDR5 SDRAM 32 Gb nguyên khối đầu tiên

Samsung vừa giới thiệu chip DDR5 SDRAM 32 Gb nguyên khối đầu tiên trong ngành. IC bộ nhớ này sẽ cho phép công ty đơn giản hóa đáng kể việc sản xuất các mô-đun bộ nhớ dung lượng cao và xây dựng RDIMM 1 TB chưa từng có cho máy chủ.

DRAM 3D: Giải pháp cho vấn đề quy mô DRAM

Nếu có một sản phẩm công nghệ mà việc thu nhỏ không hoạt động tốt, thì đó là DRAM. Có một số lý do cho điều này, quan trọng nhất là thiết kế thực tế của các tế bào DRAM và cách nó liên quan đến quá trình sản xuất. Nhưng theo Lam Research, kết quả cuối cùng của những khó khăn về quy mô này có nghĩa là các nhà nghiên cứu trong lĩnh vực DRAM có thể hết cách để tăng mật độ quy mô của DRAM sớm nhất là sau năm năm nữa.

Samsung cho biết sẽ sản xuất bộ nhớ NAND 300 lớp vào năm 2024

Samsung Electronics cho biết họ sẽ bắt đầu sản xuất bộ nhớ NAND 300 lớp vào năm 2024, theo một báo cáo của The Elec. Công nghệ này sẽ cho phép Samsung tăng mật độ lưu trữ lên 40% và giảm chi phí sản xuất xuống 20%.

Intel làm cho công nghệ 3nm dễ tiếp cận hơn với khách hàng của IFS

Intel đã công bố kế hoạch mở rộng công nghệ 3nm của mình cho các khách hàng của Intel Foundry Services (IFS). Điều này sẽ cho phép các công ty từ nhiều ngành khác nhau, bao gồm thiết bị di động, điện toán hiệu suất cao và ô tô, tiếp cận với công nghệ tiên tiến nhất của Intel.

Intel công bố tiến bộ về quy trình sản xuất 3nm class node đã đạt được mục tiêu về mật độ lỗi và hiệu suất

Intel, nhà sản xuất vi xử lý hàng đầu thế giới, đã công bố rằng họ đã đạt được tiến bộ quan trọng trong quy trình sản xuất 3nm class node. Theo thông tin từ Intel, công nghệ mới này đã đáp ứng được cả hai mục tiêu chính là tăng cường mật độ lỗi và hiệu suất.